2023/07/04
奥村宏典フェローらの研究が「Applied Physics Express誌」に掲載されました(2023年6月26日 )
『800℃を超える高温環境で利用可能な半導体素子を開発』
概要：既存のSi（シリコン、ケイ素）半導体は、約300℃で動作に異常を来すため、用途が限られます。今回、窒化アルミニウム（AlN）半導体を用いることで、ダイオードを827℃まで、トランジスタを727℃までの高温環境下で、安定に動作させることに成功しました。
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【題 名】 Temperature dependence of electrical characteristics of Si-implanted AlN layers on sapphire substrates
（サファイア基板上AlN層の電気的特性の温度依存性）
【著者名】 H. Okumura, Y. Watanabe, and T. Shibata
【掲載誌】
Applied Physics Express
【掲載日】 2023年6月26日
【DOI】 10.35848/1882-0786/acdcde
